Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 81.2 A 46.2 W, 4-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 7,21

(ohne MwSt.)

€ 8,65

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,721€ 7,21
100 - 240€ 0,685€ 6,85
250 - 490€ 0,541€ 5,41
500 - 990€ 0,505€ 5,05
1000 +€ 0,397€ 3,97

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2892
Herst. Teile-Nr.:
SIJA74DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

46.2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 40-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links