Vishay SiRA74DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 81.2 A 46.2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-5009
Herst. Teile-Nr.:
SiRA74DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SiRA74DP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

46.2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.26 mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Abgestimmt auf das niedrigste RDS-Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften

Optimiert für Schwall-Lötverfahren

Flexible Leitungen erhöhen die Widerstandsfähigkeit gegen Platinenbiegung

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