Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.3 A 5 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 7,18

(ohne MwSt.)

€ 8,62

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 4 820 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,718€ 7,18
100 - 240€ 0,646€ 6,46
250 - 490€ 0,53€ 5,30
500 - 990€ 0,467€ 4,67
1000 +€ 0,36€ 3,60

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2819
Herst. Teile-Nr.:
Si4056ADY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Stromkreisschutz und Motorsteuerung verwendet.

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Logikebenen-Gate-Ansteuerung

Verwandte Links