Vishay E N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 47 A 278 W, 3-Pin TO-263

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 12,50

(ohne MwSt.)

€ 15,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 6,25€ 12,50
20 - 48€ 5,63€ 11,26
50 - 98€ 5,315€ 10,63
100 - 198€ 5,00€ 10,00
200 +€ 4,625€ 9,25

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
225-9910
Herst. Teile-Nr.:
SIHB053N60E-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

92nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.88mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links