Infineon BSP135I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
225-0554
Herst. Teile-Nr.:
BSP135IXTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

BSP135I

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Höhe

1.8mm

Breite

3.7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon BSP135I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.

Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen

Torantriebsflexibilität

Geringere Designkomplexität

Umweltfreundlich

Hoher Gesamtwirkungsgrad

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