ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.5 A 2 W, 7-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 223-6397
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6JC5TCR
- Hersteller:
- ROHM
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 939,00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,313 | € 939,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-6397
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6JC5TCR
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Länge | 2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.65mm | ||
Länge 2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm-MOSFET für kleines Signal hat den DFN1010-3W-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich für Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber verwendet.
Extrem kleines und freiliegendes Ableitungspad ohne Kabel für ausgezeichnete Wärmeleitung, SMD-Kunststoffgehäuse
Seitliche benetzbare Flansche für automatisierte optische Lötinspektion
AEC-Q101-qualifiziert