ROHM Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7 A 4 W, 9-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
223-6203
Herst. Teile-Nr.:
HS8MA2TCR1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.08Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

4W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.8mm

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm-MOSFET für kleines Signal hat den Typ TSMT8. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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