Infineon IPD50R N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 180 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 222-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R065C7AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 15,06
(ohne MwSt.)
€ 18,08
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 7,53 | € 15,06 |
| 10 - 18 | € 6,935 | € 13,87 |
| 20 - 48 | € 6,755 | € 13,51 |
| 50 - 98 | € 6,57 | € 13,14 |
| 100 + | € 6,415 | € 12,83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R065C7AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.
Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss
Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)*A der Welt
Robuste Gehäusediode
Verwandte Links
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal 10-Pin TO-252
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD50R Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPL Typ N-Kanal 5-Pin ThinPAK 8 x 8
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Typ N-Kanal 5-Pin ThinPAK