Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4887
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IPA60R | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IPA60R | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOS TM CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 im D2PAK-Gehäuse ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern
Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung
Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss
Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte
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