Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 110 V / 16 A 79 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4752
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3910TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4752
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3910TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 110V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.39mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 110V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.39mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Dynamische dv/dt-Bewertung
Fast Switching
Voll-Avalanche-Bewertung