Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 75 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 61,20

(ohne MwSt.)

€ 73,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30€ 2,04€ 61,20
60 - 120€ 1,938€ 58,14
150 +€ 1,856€ 55,68

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4722
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R170CFD7XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Breite

21.1 mm

Höhe

5.21mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links