Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 77.5 A 481 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 8,63

(ohne MwSt.)

€ 10,36

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 8,63
10 - 24€ 8,20
25 - 49€ 7,85
50 - 99€ 7,51
100 +€ 6,98

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4721
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R041P6FKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Maximale Verlustleistung Pd

481W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Länge

16.13mm

Höhe

5.21mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links