Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 156 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
222-4697
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R070CFD7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.36mm

Breite

15.95 mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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