Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4699
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R099C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 231,45
(ohne MwSt.)
€ 277,75
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 12. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,629 | € 231,45 |
| 100 - 200 | € 4,398 | € 219,90 |
| 250 + | € 4,12 | € 206,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4699
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R099C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-247