Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4669
Herst. Teile-Nr.:
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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