onsemi NTMFS006N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 93 A 104 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6722
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 221-6722
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie NTMFS006N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Höhe 6.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MV-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit Shielded Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten