onsemi NVMFS6D1N08H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 89 A 104 W, 5-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
185-9150
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS6D1N08HT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

89A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVMFS6D1N08H

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.1mm

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
MY
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

NVMFSW6D1N08H - Option für wettbare Flansche für erweiterte optische Inspektion

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Berylliumfrei

Typische Anwendungen:

Synchrone Gleichrichtung

AC/DC- und DC/DC-Netzteile

AC/DC-Adapter (USB PD) SR

Lastschalter

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