Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
220-7501
Herst. Teile-Nr.:
IRLMS6802TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1 mm

Höhe

3mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Mit diesem Vorteil steht dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen zur Verfügung. Das Micro6-Gehäuse mit seinem kundenspezifischen Kabelrahmen erzeugt einen HEXFET ® -Leistungs-MOSFET mit RDS(on) 60 % weniger als ein SOT-23 in ähnlicher Größe. Dieses Gehäuse ist ideal für Anwendungen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte sehr knapp ist. Das einzigartige thermische Design und die RDS(on)-Reduzierung ermöglichen eine Strombelastungssteigerung von fast 300 % im Vergleich zum SOT-23.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

P-Kanal-MOSFET

Oberflächenmontage

Erhältlich in Band und Rolle

Bleifrei

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