Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH
- RS Best.-Nr.:
- 220-7474
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6613TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 9,60
(ohne MwSt.)
€ 11,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 9 455 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,92 | € 9,60 |
| 25 - 45 | € 1,73 | € 8,65 |
| 50 - 120 | € 1,612 | € 8,06 |
| 125 - 245 | € 1,50 | € 7,50 |
| 250 + | € 0,962 | € 4,81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7474
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6613TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | ISOMETRISCH | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Breite | 5.05 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 0.68mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße ISOMETRISCH | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Breite 5.05 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 0.68mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweiseitige Kühlung
Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 NH) Induktivität
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Hohe Strombelastbarkeit
Optimale Wärmeleistung
Kompakter Formfaktor
Hoher Wirkungsgrad
Umweltfreundlich
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin ISOMETRISCH
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263