Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH
- RS Best.-Nr.:
- 220-7474
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6613TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | ISOMETRISCH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 0.68mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße ISOMETRISCH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 0.68mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweiseitige Kühlung
Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 NH) Induktivität
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Hohe Strombelastbarkeit
Optimale Wärmeleistung
Kompakter Formfaktor
Hoher Wirkungsgrad
Umweltfreundlich
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