Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 363 A 2.4 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
220-7472
Herst. Teile-Nr.:
IRF60SC241ARMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

363A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

StrongIRFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

311nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Höhe

4.4mm

Automobilstandard

Nein

Die neuesten 60-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie.

Niedriger RDS (EIN)

Hohe Strombelastbarkeit

Standard-Industriegehäuse

Flexible Pinbelegung

Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerung

Reduzierung der Leitungsverluste

Erhöhte Leistungsdichte

Direkter Ersatz für vorhandene Geräte

Bietet hohe Flexibilität beim Design

Bietet Immunität gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen

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