Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 363 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- RS-varenummer:
- 220-7472
- Producentens varenummer:
- IRF60SC241ARMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 61,49
(ekskl. moms)
Kr. 76,862
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.368 enhed(er) afsendes fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 30,745 | Kr. 61,49 |
| 20 - 48 | Kr. 28,535 | Kr. 57,07 |
| 50 - 98 | Kr. 26,74 | Kr. 53,48 |
| 100 - 198 | Kr. 24,91 | Kr. 49,82 |
| 200 + | Kr. 23,075 | Kr. 46,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7472
- Producentens varenummer:
- IRF60SC241ARMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 363A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 311nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Bredde | 9.45mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 363A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 311nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Bredde 9.45mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon
Lav RDS(on)
Håndterer høje strømstyrker
Hus i industristandard
Fleksibel benforbindelser
Optimeret til 10 V gate-drev
Reduktion af ledetab
Forøget effekttæthed
Drop-in erstatning til eksisterende enheder
Giver fleksibilitet i design
Giver immunitet over for falsk tænd i støjende miljøer