Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 99.6 A 277.8 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
220-7462
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R110CFDAFKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

99.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

277.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt

Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt

Niedriger Gate-Ladewert Q g.

Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf

Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten

Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung

Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise

Bessere Effizienz bei geringer Last

Geringere Schaltverluste

Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich

Hohe Qualität und Zuverlässigkeit

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