Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
220-7391
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R065C7ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

650 V Spannung

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile

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