Infineon CoolMOS CSFD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 236 A 245 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 219-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 236A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 136nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 21.1mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 236A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 136nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 21.1mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS Superjunction MOSFET ist ein optimiertes Gerät, das speziell auf das Off-Board EV-Lade-Marktsegmente zugeschnitten ist. Dank niedriger Gate-Ladung (Qg) und verbessertem Schaltverhalten bietet sie den höchsten Wirkungsgrad im Zielmarkt. Darüber hinaus verfügt sie über eine integrierte, schnelle Gehäusediode und eine erheblich reduzierte Rückgewinnungsladung (Qrr), was zu höchster Zuverlässigkeit in Resonanztopologien führt. Aufgrund dieser Eigenschaften erfüllt die IPW60R037CSFD die Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards des Off-Board-EV-Ladestationsmarktes und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
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