Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 110-7743
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R165CPFKSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin TO-247

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4 - 4	€ 5,198	€ 20,792
8 - 16	€ 4,935	€ 19,74
20 - 36	€ 4,73	€ 18,92
40 - 96	€ 4,52	€ 18,08
100 +	€ 4,21	€ 16,84

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 110-7743
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R165CPFKSA1
Hersteller:: Infineon

IPW60R165CP CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	21 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	CoolMOS CP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	160 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	192 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	39 nC @ 10 V
Länge	16.13mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.21mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.1mm

Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin TO-247

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Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP

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