Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 84 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 219-6011
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80R360P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 10,72
(ohne MwSt.)
€ 12,865
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 590 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,144 | € 10,72 |
| 50 - 120 | € 1,93 | € 9,65 |
| 125 - 245 | € 1,802 | € 9,01 |
| 250 - 495 | € 1,672 | € 8,36 |
| 500 + | € 1,562 | € 7,81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-6011
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80R360P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 84W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 84W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.
Einfach zu fahren und zu entwickeln
Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld
Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223