Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 13 A 84 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3092
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW80R360P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 17,52
(ohne MwSt.)
€ 21,025
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,504 | € 17,52 |
| 25 - 45 | € 3,154 | € 15,77 |
| 50 - 120 | € 2,942 | € 14,71 |
| 125 - 245 | € 2,734 | € 13,67 |
| 250 + | € 2,558 | € 12,79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3092
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW80R360P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 84W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 84W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 800 V CoolMOS TM P7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Er eignet sich für harte und weiche Schalt-Flyback-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung.
Erstklassige Leistung
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Vollständig optimiertes Portfolio
Verwandte Links
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 3-Pin PG-TO251-3
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252