Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 219-6008
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 35,30
(ohne MwSt.)
€ 42,35
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,706 | € 35,30 |
| 100 - 200 | € 0,607 | € 30,35 |
| 250 - 450 | € 0,571 | € 28,55 |
| 500 - 1200 | € 0,529 | € 26,45 |
| 1250 + | € 0,501 | € 25,05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-6008
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.
Einfach zu fahren und zu entwickeln
Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld
Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223