Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 2,20

(ohne MwSt.)

€ 2,65

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 425 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +€ 0,44€ 2,20

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0906
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™P7


Die Leistungs-MOSFET-Familie CoolMOS P7 mit 800 V bietet einen noch höheren Wirkungsgrad und eine größere Wärmeleistung. Geeignete Anwendungen sind Leistungsadapter, LED-Beleuchtung, Audio, Industrie- und Hilfsversorgung.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Recently viewed