STMicroelectronics SCTH70N, SMD MOSFET 1200 V / 90 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
219-4223
Herst. Teile-Nr.:
SCTH70N120G2V-7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

SCTH70N

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

0,21 O

Gate-Schwellenspannung max.

4.9V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten

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