Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 23 A 341 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3128
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2703TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren entwickelt.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

Ohne Leitung

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