Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 500 V / 6 A 119 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

€ 27,435

(ohne MwSt.)

€ 32,925

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 60€ 1,829€ 27,44
75 - 135€ 1,737€ 26,06
150 - 360€ 1,664€ 24,96
375 - 735€ 1,592€ 23,88
750 +€ 1,481€ 22,22

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3116
Herst. Teile-Nr.:
IRFR825TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Der 1-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in USV, SMPS usw. verwendet

Geringere Gate-Ladung führt zu einfacheren Antriebsanforderungen.

Höhere Gate-Spannungsschwelle bietet eine verbesserte Störfestigkeit.

Verwandte Links