Infineon IRFS7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 426 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3121
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7430TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- IRFS7430TRLPBF
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 426A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IRFS7 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 460nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 426A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IRFS7 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 460nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.65mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 40-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Er verfügt über ein Gehäuse vom Typ D2PAK (TO-263). Es ist für Anwendungen geeignet, bei denen das Schalten weniger als 100 kHz beträgt.
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit
Bleifrei