Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 324 A 156 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 218-3104P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8201TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 324A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 324A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Er wird hauptsächlich in Batterie-betriebenen DC-Motorwechselrichtern verwendet.
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)
RoHS-konform, halogenfrei