Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3051P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7SAUMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P7. Er hat extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste, was Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler macht.
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Geeignet für hartes und weiches Schalten