Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 75 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 93,225

(ohne MwSt.)

€ 111,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 11 400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
75 - 135€ 1,243
150 - 360€ 1,191
375 - 735€ 1,137
750 +€ 1,059

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3043P
Herst. Teile-Nr.:
IPD35N10S3L26ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das DPAK-Gehäuse (TO-252). Er hat niedrige Schalt- und Leitungsleistungsverluste.

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.