Infineon IAUA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5
- RS Best.-Nr.:
- 218-2988
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 15,48
(ohne MwSt.)
€ 18,575
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 5 805 Einheit(en) mit Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,096 | € 15,48 |
| 50 - 120 | € 2,536 | € 12,68 |
| 125 - 245 | € 2,378 | € 11,89 |
| 250 - 495 | € 2,23 | € 11,15 |
| 500 + | € 2,076 | € 10,38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2988
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IAUA | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IAUA | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS\ -5-Serie. Er wird für den Einsatz in der Automobilindustrie verwendet.
N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel
MSL3 bis zu 260 °C Peak Reflow
175 °C Betriebstemperatur
100 % Lawinenprüfung