Infineon IAUA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5

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RS Best.-Nr.:
218-2987
Herst. Teile-Nr.:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-HSOF-5

Serie

IAUA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS\ -5-Serie. Er wird für den Einsatz in der Automobilindustrie verwendet.

N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel

MSL3 bis zu 260 °C Peak Reflow

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinenprüfung

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