Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
218-2972
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF5210STRL
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon P-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie. Er wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt. Dieses zellulare Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

P-Kanal-MOSFET

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

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