Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2628
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3207TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
€ 1.065,60
(ohne MwSt.)
€ 1.278,40
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | € 1,332 | € 1.065,60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2628
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3207TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 260nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 260nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.
Verbesserte TorAvalanche und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit
Bleifrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W IRFS3207TRLPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W IRFS3207ZTRRPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRF2907ZSTRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 170 A IRFB3207ZPBF TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 170 A IRF2907ZPBF TO-220