Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 170 A 310 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
124-9010
Herst. Teile-Nr.:
IRFP2907ZPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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