Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

€ 1.491,20

(ohne MwSt.)

€ 1.789,60

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +€ 1,864€ 1.491,20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
217-2597
Herst. Teile-Nr.:
IRF3805STRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Ohne Leitung

Verwandte Links