Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 137 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2554
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,44 | € 72,00 |
| 100 - 200 | € 1,21 | € 60,50 |
| 250 - 450 | € 1,152 | € 57,60 |
| 500 - 950 | € 1,089 | € 54,45 |
| 1000 + | € 1,061 | € 53,05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2554
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 88nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 29.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 88nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 29.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM (Leistungszahl).
Ausgezeichnete Schaltleistung weltweit niedrigster R DS(on)
Sehr niedrige Q g und Q gd
Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
RoHS-konform - halogenfrei
MSL1-ausgelegt für 2
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