Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 137 A 214 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
217-2554
Herst. Teile-Nr.:
IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

88nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Höhe

29.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM (Leistungszahl).

Ausgezeichnete Schaltleistung weltweit niedrigster R DS(on)

Sehr niedrige Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

RoHS-konform - halogenfrei

MSL1-ausgelegt für 2

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