Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2531
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R2K7C3AATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstrombelastbarkeit

Kfz AEC Q101 zugelassen

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

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