Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A 41 W, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2530
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R600P7SAUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht eine ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ GESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

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