Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 90 A 416 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
348-998
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60T022S7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

416W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, JS-001, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolMOS S7T bietet die beste Preisleistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der eingebettete Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit bei der Messung der Sperrschichttemperatur und ermöglicht gleichzeitig eine einfache und nahtlose Implementierung. Der CoolMOS S7T ist für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Der neue Temperatursensor verbessert die Eigenschaften von S7 und ermöglicht die bestmögliche Nutzung des Leistungstransistors.

Erhöhte Systemleistung

Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und unkomplizierteres Design

Niedrigere BOM oder TCO über eine längere Lebensdauer

Mehr Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer des Systems

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