Infineon CoolMOSTM8thgeneration Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 65 A 338 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 348-996
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R037CM8XTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | CoolMOSTM8thgeneration | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 338W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie CoolMOSTM8thgeneration | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 338W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche
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