Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2504
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R080P7ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

37A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.31mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

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