Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 129 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2509
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.31mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 3,7 MΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, Optimo.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Extrem niedriger RDS(on)

100 % Lawinenprüfung

Green Product (RoHS konform)

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