Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 8.5 A 82 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2502
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2502
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Länge | 16.1mm | |
| Höhe | 29.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.8 mm | ||
Länge 16.1mm | ||
Höhe 29.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-700-V-CoolMOS-P7-Superjunction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Supjunction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction-MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V CoolMOS TM P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf: Effizienz und Thermik Einfälliges EMI-Verhalten.
Extrem niedriger FOM R DS(on) x E oss; Untere Q g, E ein und E aus
Hochleistungsfähige Technologie
Geringe Schaltverluste (E oss)
Hoher Wirkungsgrad
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten
Integrierte Zenerdiode
Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr geringer Toleranz von ±0,5 V
Fein abgestuftes Portfolio
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