Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 5.2 A 68 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
217-2489
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R1K5CEXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

29.75mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.65mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

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